Fraunhofer maakt extreem vlakke maskerhouder voor EUV-litho

Het Fraunhofer-instituut voor toegepaste optica en fijnmechanica (IOF) heeft een maskerhouder ontwikkeld voor EUV-lithografie. Deze zogenaamde chucks moeten extreem vlak en glad zijn om te voorkomen dat het beeld vervormt. Dit zou tot fouten in chips kunnen leiden.

EUV-lithografie werkt met reflectieve optica. De lenzen zijn holle spiegels en ook de maskers werken met weerkaatsing. Precisie is daarbij absolute noodzaak; hoogteverschillen van honderd nanometer – het voormalige record – kunnen al desastreus zijn voor het eindresultaat. Door speciaal voor dit doel ontwikkeld keramiek te gebruiken, kregen de Fraunhofer-onderzoekers het voor elkaar de hoogteverschillen te reduceren tot 74 nanometer.

Tevreden zijn de Duitsers nog niet. Hun volgende doelstelling is vlakheid binnen een marge van vijftig nanometer.