Fluor verbetert hafniumdioxidelaag in toekomstige gatestacks

Fluor biedt steun aan hafniumdioxide, de gedoodverfde opvolger van silicimdioxide in transistorgates van 45 nm-processen en kleiner. Onderzoekers van Freescale hebben ontdekt dat het element onnauwkeurigheden in hafniumdioxidelagen kan oplossen. Het silicium van de schakeling trekt aan de oxides met hoge k-waarde in de isolatielaag of de interfacelaag. Hierdoor ontstaan gaten in de silicimdioxidelaag die zorgen voor een instabiele drempelspanning en degradatie in mobiliteit. Fluor bindt zo sterk met silicium dat het geen zuurstof meer aantrekt.

Freescale-researcher Hsing-Huang Tseng maakte het resultaat bekend op het International Symposium on Advanced Gate Stack Technology. Verdere details presenteert het bedrijf op IEDM-event in december.