Ferro-elektrisch geheugen verbeterd met licht

Onderzoekers van de University of California, Berkeley en Nanyang Technological University in Singapore hebben een ferro-elektrisch niet-vluchtig geheugen ontwikkeld dat tienduizend keer sneller uitleest en schrijft dan flash, en bovendien aanzienlijk minder spanning nodig heeft om te schrijven. De bits worden opgeslagen in bismutferriet, dat twee polarisatietoestanden kent. Net als andere ferro-elektrische materialen – en daarop gebaseerde geheugens die al op de markt zijn – worden deze gewist bij het uitlezen, maar de onderzoekers omzeilden dat door niet met stroom uit te lezen, maar met licht. Wanneer het bismutferriet wordt belicht, ontstaat er spanning die afhankelijk is van de polarisatietoestand. Die spanning wordt vervolgens uitgelezen door twee elektrodes.