EUV-maskerinspectietool maakt progressie

Reading time: 1 minute

Author:

Carl Zeiss meldt ‘significante vooruitgang’ in de ontwikkeling van een inspectietool voor EUV-fotomaskers. Met een prototype heeft het bedrijf de eerste foto’s gemaakt van de uiterst defectgevoelige platen, waarvoor tot voor kort geen adequate inspectiemethode beschikbaar was. Sematech startte daarom in 2010 het EUVL Mask Infrastructure-consortium, waar Zeiss zich bij aansloot om de ontwikkeling van zijn actinic aerial image metrology-systeem te ondersteunen. Dit AIMS is geschikt voor 16-nanometerchips (half-pitch), uitbreidbaar tot de vereisten van het 11-nanometerknooppunt. Zeiss zegt in de loop van dit jaar de eerste maskers van klanten te gaan meten.

‘Foto’ van 64-nanometerfotomaskerstructuren, corresponderend met 16 nanometer op waferniveau.