Kort nieuws

EUV-litho ‘rekbaar’

Paul van Gerven
Leestijd: 1 minuut

Tegenwoordig is ’rekbaarheid‘ toegevoegd aan de verzameling argumenten om het enthousiasme voor EUV-lithografie verder aan te wakkeren. Daarmee wordt bedoeld de mogelijkheid om met nog kleinere golflengtes te werken (en dus nog kleinere structuren af te kunnen beelden) dan de 13,5 nanometer waar de projectiemethode nu op gebaseerd is. Het bestaan van deze optie is allang bekend, maar zij werd nog niet vaak in de openbaarheid aangevoerd als voordeel. Op de International 2010 Workshop on EUV Lithography in Hawaii stipte onder meer vicepresident onderzoek Jos Benschop van ASML het punt aan, blijkt uit verslagen van het event opgetekend door EE Times en Solid State Technology.

ASML heeft altijd gehamerd op de kosteneffectiviteit van EUV. Verschillende onafhankelijke berekeningen stellen de Veldhovense machinebouwer in het gelijk, maar daarvoor moeten nog wel enkele technologische barrières genomen worden. Groot punt van zorg is de EUV-lichtbron: als die niet een voldoende hoog vermogen haalt, neemt de belichtingstijd toe, de doorvoer af en wordt de geprojecteerde kosteneffectiviteit niet gehaald. De bètatools die ASML over een paar maanden begint te verschepen hebben een lichtbron 100 watt; voor commerciële productie is eentje van meer dan 200 watt nodig.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one and enjoy all the benefits.

Login

Related content