Technieuws

Europees team legt GaN op diamant

Paul van Gerven
Leestijd: 1 minuut

Materiaalspecialisten van het Materials for Robust Gallium Nitride-team (Morgan) hebben epitaxiaal galliumnitride laten groeien op een diamanten substraat. Zij geven de wafers nu door aan hun collega‘s die er vermogenselektronica en taaie sensoren op willen maken. Diamant heeft de hoogste thermische geleidbaarheid van alle vaste stoffen en is daarom zeer geschikt voor elektronische toepassingen waarbij (extreem) hoge temperaturen of stroomdichtheden om de hoek komen kijken.

Het Europese project Morgan ter waarde van 9,2 miljoen euro ging eind 2008 van start en loopt tot 2012. Alcatel-Thales III-V Laboratories leidt het consortium waar 23 partners aan deelnemen.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one and enjoy all the benefits.

Login

Related content