Technieuws

Doorzichtig geheugen-op-folie ontwikkeld

Paul van Gerven
Leestijd: 1 minuut

Onderzoekers van de Rice University hebben een vrijwel transparant geheugen op folie ontwikkeld, bestaande uit siliciumdioxide gesandwicht tussen twee lagen grafeen of tussen grafeen en indiumtinoxide (Ito) als elektrodes. De werking is gebaseerd op de reversibele vorming van metallisch geleidende filamenten in silicumdioxide, waarin zuurstofionen aan de wandel gaan onder invloed van een spanning. De geleidbaarheid – hoog of laag – van een laagje van dit materiaal representeert een bit.

Dit mechanisme kwam bovendrijven toen onderzoekers gingen uitzoeken hoe het kan dat een laagje titaandioxide leek te ’onthouden‘ hoeveel lading erdoor was gepasseerd, wat tot uitdrukking kwam in de weerstand. Deze memristieve werking bestond uitsluitend op papier als het vierde tweepolige elektronische basiselement (naast de weerstand, condensator en spoel), totdat in 2008 HP-onderzoekers een memristor wisten te fabriceren. Sindsdien hebben vele onderzoeksgroepen zich op het onderwerp gestort.

Eén voordeel van de memristor of het resistive Ram (RRam) is dat er maar twee aansluitingen nodig zijn. Dat stelde de Rice-onderzoekers in staat om ondoorzichtige metalen helemaal achterwege te laten in de constructie van siliciumdioxide ingeklemd tussen roosters van nanodraden. Deze crossbar blijkt te schalen tot in ieder geval vijf nanometer.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one and enjoy all the benefits.

Login

Related content