‘Commerciële’ GaN-op-Si-led geclaimd

Het Amerikaanse bedrijf Bridgelux zegt 135 lumen per watt te kunnen trekken uit een ledje dat gemaakt is op een epitaxiale laag galliumnitride (GaN) op silicium. Dit resultaat zou genoeg zijn om de eerste commerciële GaN-op-Si-ledjes op de markt te brengen, al denkt Bridgelux daar nog minimaal twee jaar voor nodig te hebben.

Aangezien wafers van galliumnitride klein en peperduur zijn, moet het lichtgevende III-V-materiaal als een dun laagje op een ondergrond worden gebruikt. De keuze valt doorgaans op saffier of siliciumcarbide, maar ook van die materialen zijn geen grote wafers beschikbaar en ze zijn ook nog eens relatief moeilijk verwerkbaar. Het veelgebruikte silicium zou een ideaal alternatief zijn, ware het niet dat zijn kristalrooster niet goed past op dat van galliumnitride. Er wordt daarom al jaren onderzoek gedaan om lagen galliumnitride van voldoende kwaliteit op silicium wafers te leggen.