Technieuws

Cambridge-onderzoekers maken GaN led-lampen zonder saffier

Paul van Gerven
Leestijd: 1 minuut

Galliumnitride led-lampen op silicium wafers, onderzoekers van de University of Cambridge hebben dat voor elkaar gekregen. Normaal gesproken is het kostbare saffier nodig als substraat. De Engelsen denken dat ze hiermee een belangrijke stap hebben gezet om led-verlichting prijstechnisch gezien competitief te maken met andere vormen van verlichting.

Een laagje galliumnitride laten groeien op silicium is normaal gesproken zo goed als onmogelijk, omdat de twee materialen bij afkoeling niet even snel krimpen. Daardoor ontstaan barsten. Bufferlaagjes aluminiumgalliumnitride bleken echter wonderen te doen. De extra lagen deden niets af aan de werking van de leds.

Helemaal nieuw is de oplossing niet. Imec en Aixtron repten vorig jaar al over een vergelijkbare methode om galliumnitride op 200 millimeter wafers te leggen.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one and enjoy all the benefits.

Login

Related content