Amerikanen en Fransen bouwen koolstofschakelingen

Het Franse Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) heeft samen met het Georgia Institute of Technology uit de Verenigde Staten aangetoond dat het mogelijk is om transistors en circuits te maken van grafeen, een koolstofverbinding die op grafiet lijkt. Ze hopen uiteindelijk om met standaard chipfabricagetechnieken elektronische componenten te ontwikkelen van maximaal tien atomen dik. Deze hebben de elektrische eigenschappen van koolstofnanobuizen, zoals een extreem lage weerstand. Daarbij gaat het om de golfeigenschappen van elektronen in plaats van de deeltjeseigenschappen. De onderzoekers begonnen met een substraat van siliciumcarbide, een verbinding van silicium en koolstof. Via verhitting in een vacuüm verwijderde ze het silicium en bleef er een laag grafeen over. Vervolgens brachten ze hier met standaard lithografische technieken structuren op aan. Het werk werd gepubliceerd in het tijdschrift Journal of Physical Chemistry.