Aankondiging RRam lauw ontvangen

Elpida zegt in 2013 een resistief geheugen (RRam) in productie te willen nemen. Het zou gaan om een chip met een capaciteit in de gigabitrange, gefabriceerd op een 30-nanometerproces. Recent heeft de Taiwanese geheugenfabrikant een 50-nanometerprototype van 64 megabit getoond, die werd ontwikkeld met enkele partners. Analisten zijn echter vooralsnog niet onder de indruk.

Een RRam-cel slaat een bit op in een oxidefilmpje, dat kan verkeren in een toestand van hoge of lage elektrische weerstand. Aanvankelijk was het een mysterie hoe zo‘n fors verschil in geleidbaarheid kan ontstaan in dit materiaal, maar inmiddels is duidelijk dat er zich filamenten vormen waarlangs een stroompje kan lopen.

RRam combineert de snelheid van DRam met de niet-vluchtigheid van Nand-flash. De laatste technologie loopt over een generatie of twee tegen schalingsproblemen aan, claimen sommigen, en de industrie experimenteert daarom met beter schaalbare alternatieven. RRam is niet de enige kandidaat – er wordt onder meer ook naar faseveranderingsgeheugen en magnetoresistief Ram (MRam) gekeken – al lijkt RRam de favoriet van de industrie, zegt analist Bob Merritt van Convergent Semiconductors.